為降低電源系統(tǒng)的耗電量、縮小其體積做出貢獻(xiàn)

　　開(kāi)始發(fā)售功率半導(dǎo)體“1200V SiC-SBD”

　　近日，三菱電機(jī)株式會(huì)社發(fā)布了1200V Si-SBD(碳化硅肖特基二極管)，該產(chǎn)品有利于降低太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、EV充電器等系統(tǒng)的損耗和體積。預(yù)計(jì)將于2019年6月提供樣品，2020年1月開(kāi)始發(fā)售。本產(chǎn)品將在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日～19日于日本幕張舉行), “PCIM Europe2019展”(5月7～9日于德國(guó)紐倫堡舉行), “PCIM※1 Asia2019展”(6月26～28日于中華人民共和國(guó)上海舉行)上展出。

　　※1　Silicon Carbide：碳化硅

　　※2　Schottky Barrier Diode：肖特基勢(shì)壘二極管

　　新產(chǎn)品的特點(diǎn)

　　1.通過(guò)采用SiC，有利于降低系統(tǒng)損耗和體積

　　?通過(guò)使用SiC大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，降低約21%的電力損耗※3

　　?實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)，有利于縮小電抗器等配套零部件的體積

　　※3 與內(nèi)置PFC電路的三菱電機(jī)產(chǎn)品功率半導(dǎo)體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si(硅)二極管相比

　　2.通過(guò)采用JBS結(jié)構(gòu)，提高可靠性

　　?采用pn結(jié)與肖特基結(jié)相結(jié)合的JBS※4結(jié)構(gòu)

　　?通過(guò)JBS結(jié)構(gòu)提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性

　　※4　Junction Barrier Schottky

　　3.由5個(gè)產(chǎn)品構(gòu)成的產(chǎn)品陣容可對(duì)應(yīng)各種各樣的用途

　　?除了通常的TO-247封裝外，還采用了擴(kuò)大絕緣距離的TO-247-2封裝

　　除民用品外還可對(duì)應(yīng)工業(yè)等各種各樣的用途

　　?產(chǎn)品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產(chǎn)品(BD20120SJ)，也可對(duì)應(yīng)車(chē)載用途

　　※5　Automotive Electronics Council：車(chē)載電子零部件質(zhì)量規(guī)格

　　發(fā)售概要

　　銷(xiāo)售目標(biāo)

　　近年來(lái)，出于節(jié)能環(huán)保的考慮，人們對(duì)能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)的功率半導(dǎo)體的期待逐漸高漲。三菱電機(jī)自2010年起陸續(xù)推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導(dǎo)體模塊，廣泛應(yīng)用于空調(diào)以及工業(yè)機(jī)械、鐵路車(chē)輛的逆變器系統(tǒng)等，為降低家電及工業(yè)機(jī)械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻(xiàn)。

　　在這一背景下，此次將發(fā)售采用了SiC的功率半導(dǎo)體“SiC-SBD”。在電源系統(tǒng)中應(yīng)用“SiC-SBD”，將為降低客戶(hù)的系統(tǒng)耗電量，縮小體積做出貢獻(xiàn)。

　　本產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

　　※6　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬酸化膜半體uの界抗トランジスタ

　　主要規(guī)格

　　※7　8.3msec, sine wave

　　SiC-SBD系列的產(chǎn)品陣容

　　粗框內(nèi)為本次的新產(chǎn)品。